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近紅外光譜 “力挺”半導(dǎo)體行業(yè)

點(diǎn)擊次數(shù):1495  更新時(shí)間:2020-11-24
它來了!近紅外光譜 “力挺”半導(dǎo)體行業(yè) 
 

什么是半導(dǎo)體

半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。

半導(dǎo)體按照制造技術(shù)可以分為:集成電路器件、分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類。

什么是芯片

芯片,又稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、集成電路(integrated circuit, IC)。是指內(nèi)含集成電路的硅片,體積很小,常常是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分。

  • 制造工藝流程

注:CMP即化學(xué)機(jī)械拋光                                                                                                     

  • 光刻和刻蝕

光刻是將圖形轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體硅片表面的光刻膠上的過程。這些圖形必須再轉(zhuǎn)移到光刻膠下面組成器件的各薄層上,這一工藝過程我們稱之為刻蝕,即選擇性地刻蝕掉該薄層上未被掩蔽地部分。

  • 刻蝕的方法

刻蝕有兩種基本方法:濕法化學(xué)刻蝕和干法刻蝕。

濕法化學(xué)刻蝕的機(jī)理主要包括三個(gè)階段:反應(yīng)物通過擴(kuò)散到反應(yīng)物表面,化學(xué)反應(yīng)在表面上進(jìn)行,然后通過擴(kuò)散將反應(yīng)生成物從表面移除。濕法化學(xué)刻蝕較為適用于多晶硅、氧化物、氮化物、金屬和Ⅲ-Ⅴ族化合物地表面刻蝕。

近紅外光譜技術(shù)因其以下*的優(yōu)勢在半導(dǎo)體行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用。

  • 非侵入式的方法
  • 防止的微小的污染
  • 準(zhǔn)確性高,重現(xiàn)性好
  • 無需稀釋樣品
  • 可以定量分析
  • 既能做化學(xué)分析又能做物理指標(biāo)
  • 含有特制光纖探頭的在線近紅外光譜儀可以集成到整個(gè)系統(tǒng)中

 

?  應(yīng)用案例一:使用近紅外光譜儀測定混酸刻蝕液

分別選用1mm和4mm光程的比色皿測得譜圖如下,通過觀察光譜可以發(fā)現(xiàn)從1900nm開始4mm光程的比色皿光譜噪聲開始增加,因此我們選用1mm光程比色皿進(jìn)行測定。

通過Vision軟件建模,并測定的混酸刻蝕液各組分含量與實(shí)驗(yàn)室常規(guī)方法分析的數(shù)值如下表所示,可以看到近紅外的預(yù)測結(jié)果與實(shí)驗(yàn)室方法基本一致,誤差很小。

 

?  應(yīng)用案例二:使用在線近紅外光譜儀測定清洗液

如下圖為使用瑞士萬通在線近紅外光譜儀連續(xù)監(jiān)控客戶的SC1清洗液狀態(tài)。我們可以看到隨著清洗液的消耗,NH4OH的含量逐漸降低,客戶可以根據(jù)監(jiān)控的情況操作清洗流程。

 

?   應(yīng)用案例三:使用在線近紅外光譜儀動態(tài)監(jiān)測IPA異丙醇

IPA異丙醇作為清洗去除劑,在清洗的過程中會有雜質(zhì)混入該溶劑。它的近紅外光譜如下圖,在1900~2000nm波長范圍內(nèi),明顯可見雜質(zhì)EKC-265對譜圖的影響。

我們利用該波段建立EKC-265的近紅外模型,可以看到模型的R2達(dá)9.9989,SEC為0.0629。利用該模型我們就可以即可監(jiān)控異丙醇中的雜質(zhì)含量的變化。

 

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  • 無損光譜技術(shù)
  • 波長范圍800-2200nm,可實(shí)現(xiàn)廣泛的應(yīng)用
  • 可實(shí)時(shí)進(jìn)行定性分析、多組分定量分析與趨勢分析
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